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Si4914DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS
40
25 °C, unless noted
40
35
30
25
20
V GS = 10 thru 4 V
32
24
15
10
3V
16
8
T C = 125 °C
5
0
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.05
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1000
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.04
0.03
V GS = 4.5 V
800
600
C iss
0.02
V GS = 10 V
400
0.01
0.00
200
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
6
I D – Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 7 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 7 A
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 72938
S-61959-Rev. C, 09-Oct-06
T J – Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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